Основы транзисторной электроники
Агаханян Т.М.
Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристика электронно-дырочного перехода с учётом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки.
Kategori:
Tahun:
1974
Penerbit:
Энергия
Bahasa:
russian
Halaman:
130
ISBN 10:
3540647201
ISBN 13:
9783540647201
File:
DJVU, 6.11 MB
IPFS:
,
russian, 1974